23 декабря 1947 года был создан первый в мире транзистор За это изобретение ученые получили Нобелевскую премию

В 1945 году Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Шокли начали работать над созданием полупроводникового биполярного усилительного прибора. Целых два года они терпели неудачи, но 16 декабря 1947 года по счастливой случайности они, наконец, добились желаемого результата. В тот день Браттейн, экспериментируя с двумя игольчатыми электродами, перепутал полярность приложенного напряжения и внезапно получил устойчивое усиление сигнала.

Спустя неделю ученые официально представили свое изобретение руководству компании American Telephone and Telegraph. Именно эта дата – 23 декабря 1947 года, считается днем рождения транзистора.

В 1956 году Бардин, Браттейн и Шокли получили Нобелевскую премию по физике «за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта». Вскоре Джон Бардин получил свою вторую Нобелевскую премию за создание теории сверхпроводимости.

В качесте названия нового изобретения был выбран термин «транзистор», созданный американским инженером и писателем Джоном Пирсом путем слияния слов transconductance и variable resistor.

Вскоре транзисторы заменили вакуумные лампы в большинстве электронных устройств, став основой всех компьютеров и микросхем.