Мария Улиханова

Текст

Фроман является лауреатом медали Эдисона и премии Джека Мортона за достижения в области твердотельных устройств. В 2009 году Дов был введен в Национальный зал славы изобретателей

Получив степень бакалавра в области электротехники в израильском университете Технион, Дов продолжил обучение в университете в Беркли, став доктором философии в области информатики и электронной техники.

В 1965 году Фроман устроился на работу в научно-исследовательскую лабораторию Fairchild Semiconductor в Пало-Альто, где занимался исследованием интегральных схем. Спустя четыре года он стал сотрудником исследовательского центра Intel в Калифорнии. Там же в 1971 году Дов изобрел электрически стираемую перепрограммируемую память – EPROM, способную стираться и заполняться новыми данными до миллиона раз.

Благодаря убеждением Фромана Эндрю Гроув из руководства Intel решил инвестировать в Израиль, а 1 июля 1974 года Дов сам основал центр разработки Intel в Хайфе – Intel Israel. В 1981 году усилиями Фромана в Иерусалиме был открыт производственный центр Intel, а затем в израильском городе Кирьят-Гат была открыта вторая полупроводниковая фабрика Intel.

В 1980 году Фроман был назначен профессором в Еврейском университете в Иерусалиме, но год спустя он покинул университет, чтобы занять пост генерального директора Intel в Израиле, где он проработал вплоть до 2000 года.

Использованные источники: Poil (CC BY-SA), Itzik Canetti (CC BY-SA)