Разработан первый полупроводник из графена У него есть шанс заменить кремний

Эпитаксиальный графен совместим с традиционными методами производства микроэлектроники, так что он вполне может стать реальной альтернативой кремнию. Исследователи нашли способ выращивать графен на пластинах карбида кремния в специальных печах, получив в итоге графен с карбидом кремния. Испытания показали, что полупроводниковый материал на основе графена демонстрирует в десять раз большую подвижность электронов, чем кремний.

Эпитаксиальный графен превосходит по своим свойствам любые другие 2D-полупроводники и совместим с квантово-механическими волновыми свойствами электронов. Материал может сыграть важную роль в будущих достижениях в области квантовых вычислений.

Ученые подчеркивают, что электроны в материале движутся с очень низким сопротивлением, что в электронике приводит к гораздо более быстрым вычислениям. Работа над созданием нового материала заняла у американцев десятилетие. Давняя проблема в графеновой электронике заключалась в том, что графен не имеет «правильной» запрещенной зоны и не может «включаться и выключаться», то есть переходить из одного состояния в другое с нужным соотношением.

Здесь мы рассказываем, почему на марсоходах до сих пор стоят старые процессоры: