Разработаны идеальные полупроводниковые кристаллы Вопреки закону Мура

Разработанная MIT технология поможет ученым преодолеть ограничения закона Мура, чтобы проектировать крошечные транзисторы и чипы. Для создания полупроводников обычно используют метод осаждения из газовой фазы, когда атомы оседают на пластине кремния. Его недостаток заключается в том, что каждое ядро кристалла при этом растет в случайном направлении.

Чтобы преодолеть это, кремниевую пластину покрыли «карманами» из диоксида кремния, каждый из которых предназначен для улавливания зародыша будущего кристалла. Атомы оседали в каждом отсеке, образуя монокристаллический двумерный материал. Такой кристалл в MIT назвали идеальным, поскольку его монолитная структура не содержит препятствий, ограничивающих движение электронов.

Затем инженеры создали многослойное полупроводниковое устройство, вырастив сначала один тип 2D-материала, чтобы заполнить половину каждого квадрата, а затем нарастив сверху второй тип, чтобы заполнить остальную часть квадрата. Так на каждом участке кремниевой пластины образовалась двухслойная ультратонкая пленка.

Исследователи считают, что использование двумерных монокристаллических структур позволит разработать высокопроизводительные электронные устройства следующего поколения. Согласно закону Мура, количество транзисторов на микрочипе не может быть бесконечным, поскольку на наноуровне кремний утрачивает свои полупроводниковые свойства.

Разрабатывать полупроводники поможет микроволновая печь: