NEO Semiconductor представила 3D X-AI Это память с собственным нейронным слоем
Компания NEO Semiconductor, известная своими разработками в области 3D NAND и 3D DRAM технологий, анонсировала новый тип памяти 3D X-AI, предназначенный для замены традиционных HBM (High Bandwidth Memory) решений — она включает в себя собственный нейронный слой, позволяющий обрабатывать данные на скорости до 120 ТБ/с.
Новая память отличается способностью не только хранить данные, но и обрабатывать их, что делает её идеальной для задач, связанных с искусственным интеллектом: такая конфигурация значительно снижает задержки, связанные с передачей данных между памятью и процессором, устраняя узкие места в шине данных.
В основе 3D X-AI лежит кристалл с 300 слоями ячеек 3D DRAM емкостью 128 Гбит и одним слоем, содержащим 8000 нейронов. Это позволяет достичь скорости обработки данных до 10 ТБ/с на одном кристалле. При использовании двенадцати таких кристаллов, сложенных в стек HBM, достигается общая производительность в 120 ТБ/с, что является существенным улучшением по сравнению с существующими решениями.
Пока NEO Semiconductor не объявила о начале коммерциализации новой памяти, однако продемонстрировала её возможности на недавнем мероприятии FMS.
Как работает оперативная память:
Использованные источники:
