Александр Пономарёв

Текст

Китайские ученые из Школы интегральных схем Университета Цинхуа разработали сверхмалый затвор транзистора длиной всего один атом углерода

Транзистор состоит из двух проводящих электродов, разделенных полупроводником. Состояние полупроводника определяется третьим проводящим электродом — затвором. Несмотря на то, что существует целый ряд критериев размера транзистора, длина затвора является одним из наиболее важных. Чтобы сделать транзистор, исследователи начали со слоев кремния и диоксида кремния. Лист графена был наложен поверх кремния и диоксида кремния для создания материала затвора.

Сверху исследователи поместили слой алюминия, который оставили на воздухе на несколько дней, в течение которых поверхность окислялась до оксида алюминия. Таким образом, нижняя поверхность листа графена была на диоксиде кремния, а сверху была покрыта оксидом алюминия — и то, и другое является изолятором. Это позволило изолировать от остальной части транзисторного оборудования все, кроме края графена.

Чтобы обнажить край графена, исследователи протравили край алюминия до диоксида кремния и использовали лист графена в качестве затвора. Устройство покрыли тонким слоем оксида гафния — изолятором, который обеспечивает небольшое пространство между затвором и остальной частью оборудования. Край графена, встроенный в стенку вертикальной части устройства, расположен в непосредственной близости от дисульфида молибдена, а длина затвора равняется толщине листа графена — один атом углерода.

Ультратонкими научились делать гибкие транзисторы:

Читать на ЦО.РФ

Гибкие транзисторы научились делать ультратонкими Это может пригодиться для носимой электроники

Американские ученые из Стэнфордского университета разработали технологию переноса одноатомных полупроводников из дисульфида молибдена на гибкую основу

Использованные источники: